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低能电子入射电离He原子二重微分截面的理论研究

杨 欢 高 矿 吴兴举 孙 瑞 周 军 张穗萌

低能电子入射电离He原子二重微分截面的理论研究

杨 欢, 高 矿, 吴兴举, 孙 瑞, 周 军, 张穗萌
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-03-24
  • 修回日期:  2007-04-16
  • 刊出日期:  2007-11-20

低能电子入射电离He原子二重微分截面的理论研究

  • 1. (1)安徽师范大学物理与电子信息学院,芜湖 241000; (2)安徽皖西学院数理系原子与分子物理研究所,六安 237012; (3)安徽皖西学院数理系原子与分子物理研究所,六安 237012;安徽师范大学物理与电子信息学院,芜湖 241000
    基金项目: 

    安徽省自然科学基金(批准号:03406203),安徽省教育厅重大科研项目基金(批准号:ZD2007002-1),安徽省教育厅自然科学基金(批准号:2006KJ267B)和省高校拔尖人才专项基金(批准号:[2003]022)资助的课题.

摘要: 研究了低能电子入射单电离He原子的二重微分截面(DDCS),通过对散射电子三重微分截面在全空间的角度积分得到敲出电子的DDCS.分别用DS3C模型和BBK模型计算了入射能为26.3,28.3,30.3,32.5,34.3,36.5和40.7eV时,低能电子入射电离He原子的DDCS;研究表明:DS3C的计算结果,除在低入射能(比如26.3eV)和小敲出角之外,均能与绝对测量的实验结果较好地符合.此外,对直接和交换效应也进行了研究,给出了交换效应对截面的贡献.

English Abstract

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