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用振动密耦合方法研究低能电子与N2分子碰撞的振动激发微分散射截面

冯 灏 孙卫国 申 立 于江周 戴 伟 唐永建

用振动密耦合方法研究低能电子与N2分子碰撞的振动激发微分散射截面

冯 灏, 孙卫国, 申 立, 于江周, 戴 伟, 唐永建
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-11-13
  • 修回日期:  2006-12-11
  • 刊出日期:  2008-01-15

用振动密耦合方法研究低能电子与N2分子碰撞的振动激发微分散射截面

  • 1. (1)四川大学物理科学与技术学院,成都 610065; (2)四川大学原子与分子物理研究所,成都 610065; (3)四川大学原子与分子物理研究所,成都 610065;中国工程物理研究院激光聚变研究中心,绵阳 621900; (4)中国工程物理研究院激光聚变研究中心,绵阳 621900
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10504022)和教育部基金资助的课题.

摘要: 采用振动密耦合方法,分别应用球高斯分布极化势和优于绝热极化势,及基于量子力学从头计算的静电、交换势,得到入射电子能量2.40eV时0→2和0→3的振动激发微分散射截面,与目前优秀的实验值比较,获得了满意的结果,并从理论上分析了整个计算过程中可能影响微分散射截面精度的主要物理因素.

English Abstract

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