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一种N沟VDMOS电离辐射界面陷阱电流传导性研究

杨谟华 谭开洲 徐世六 张正璠 刘玉奎 钟 怡 胡刚毅 何开全

一种N沟VDMOS电离辐射界面陷阱电流传导性研究

杨谟华, 谭开洲, 徐世六, 张正璠, 刘玉奎, 钟 怡, 胡刚毅, 何开全
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-06-06
  • 修回日期:  2007-07-24
  • 刊出日期:  2008-03-20

一种N沟VDMOS电离辐射界面陷阱电流传导性研究

  • 1. (1)电子科技大学微电子与固体电子学院,成都 610054; (2)电子科技大学微电子与固体电子学院,成都 610054;模拟集成电路国家重点实验室,重庆 400060; (3)模拟集成电路国家重点实验室,重庆 400060; (4)中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆 400060
    基金项目: 

    国防预研究基金(批准号:41308020413)资助的课题.

摘要: 利用X射线对一种N沟VDMOS在不同的负载功率下进行了辐射试验,采用电流-电压(I-V)测试方法发现这种H2-O2(氢氧合成)氧化栅介质VDMOS样品存在自退火效应时,新增界面陷阱特性与通常的理论不能够很好地一致.根据所测数据,明确提出了有自退火效应样品的新增界面陷阱除了电荷效应外还具有传导电流能力的观点,初步认为该电流是表面费米能级和陷阱能级相互作用导致的产生复合电流,该电流不能简单地从I-V曲线上定量分

English Abstract

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