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漂移区表面阶梯掺杂LDMOS的击穿电压模型

李 琦 张 波 李肇基

漂移区表面阶梯掺杂LDMOS的击穿电压模型

李 琦, 张 波, 李肇基
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-06-25
  • 修回日期:  2007-07-23
  • 刊出日期:  2008-03-20

漂移区表面阶梯掺杂LDMOS的击穿电压模型

  • 1. 电子科技大学IC设计中心,成都 610054

摘要: 提出表面阶梯掺杂(SD:Step Doping on surface)LDMOS的二维击穿电压模型.基于求解多区二维Poisson方程,获得SD结构表面电场的解析式.借助此模型,研究其结构参数对击穿电压的影响;计算优化漂移区浓度和厚度与结构参数的关系,给出获得最大击穿电压的途径.数值结果,解析结果和试验结果符合较好.漂移区各区和衬底电场相互调制,在漂移区中部产生新的峰值,改善电场分布;高掺杂区位于表面,降低了正向导通电阻.结果表明:SD结构较常规结构击穿电压从192V提高到242V,导通电阻下降33%.

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