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氮团簇离子注入单晶硅的光致发光谱研究

缪竞威 王培禄 袁学东 王 虎 杨朝文 师勉恭 缪 蕾 张 静 朱洲森 孙威立 廖雪花

氮团簇离子注入单晶硅的光致发光谱研究

缪竞威, 王培禄, 袁学东, 王 虎, 杨朝文, 师勉恭, 缪 蕾, 张 静, 朱洲森, 孙威立, 廖雪花
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-08-11
  • 修回日期:  2007-11-22
  • 刊出日期:  2008-02-05

氮团簇离子注入单晶硅的光致发光谱研究

  • 1. (1)四川大学原子核科学技术研究所,辐射物理及技术教育部重点实验室, 成都 610064; (2)四川师范大学物理与电子工程学院,成都 610066
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10574095,10675087, 10535030)资助的课题.

摘要: 氮团簇离子N+10注入单晶硅直接诱发其表层转化为纳米晶结构, 导致光学性质发生显著变化. 在250—320nm波段的紫外光激励下,在330—500nm光区出现明显的光发射带,并在360nm附近产生强度极高、单色性良好的发射峰,其强度达到N+注入试样或基底的5倍,是N+2注入试样的1.5倍. 在可见光区的730nm附近和近红外区的830nm附近也出现发光带. 所有上述发光都非常稳定,可长时间保持其发

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