搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

用逆压电极化模型对AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管电流崩塌现象的研究

杨瑞霞 许娜颖 李若凡 马永强 武一宾 张志国

用逆压电极化模型对AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管电流崩塌现象的研究

杨瑞霞, 许娜颖, 李若凡, 马永强, 武一宾, 张志国
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  4794
  • PDF下载量:  1752
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2007-07-22
  • 修回日期:  2007-10-18
  • 刊出日期:  2008-02-05

用逆压电极化模型对AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管电流崩塌现象的研究

  • 1. (1)河北工业大学信息工程学院,天津 300130; (2)河北工业大学信息工程学院,天津 300130;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051; (3)河北工业大学信息工程学院,天津 300130;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051;河北工程大学信息与电气工程学院,邯郸 056038; (4)中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划 (批准号:51327030402)和天津市自然科学基金(批准号:07JCZDJC06100)资助的课题.

摘要: 通过自洽求解一维Poisson-Schrdinger方程,模拟了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在工作时等效外电场对AlGaN/GaN异质结沟道处二维电子气(2DEG)浓度的影响.分析了逆压电极化效应的作用,从正-逆压电极化现象出发,提出了逆压电极化模型.计算结果显示:逆压电极化明显影响2DEG性质,当Al组分x=0.3,AlGaN层厚度为20 nm时,不考虑逆压电极化,2DEG浓度为1.53×1013cm-2;当等效外电压分别为10和15V

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回