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In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性

李东临 高宏玲 崔利杰 曾一平 商丽燕 林 铁 黄志明 郭少令 褚君浩 周文政

In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性

李东临, 高宏玲, 崔利杰, 曾一平, 商丽燕, 林 铁, 黄志明, 郭少令, 褚君浩, 周文政
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-07-31
  • 修回日期:  2007-11-09
  • 刊出日期:  2008-02-05

In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性

  • 1. (1)中国科学院半导体研究所,北京 100083; (2)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083; (3)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083;广西大学物理科学与工程技术学院,南宁 530004
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 60221502)资助的课题.

摘要: 研究了不同沟道厚度的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱中双子带占据的二维电子气的输运特性.在考虑了两个子带电子之间的磁致子带间散射效应后,通过分析Shubnikov-de Haas振荡一阶微分的快速傅里叶变换结果,获得了每个子带电子的浓度、输运散射时间、量子散射时间以及子带之间的散射时间.结果表明,对于所研究的样品,第一子带电子受到的小角散射更强,这与第一子带电子受到了更强的电离杂质散射有

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