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掺杂对铌酸锂晶体非挥发全息存储性能的影响

孔勇发 陈绍林 张国权 刘祥明 申 岩 许京军 付 博 徐庆君

掺杂对铌酸锂晶体非挥发全息存储性能的影响

孔勇发, 陈绍林, 张国权, 刘祥明, 申 岩, 许京军, 付 博, 徐庆君
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-07-04
  • 修回日期:  2007-09-21
  • 刊出日期:  2008-05-28

掺杂对铌酸锂晶体非挥发全息存储性能的影响

  • 1. (1)南开大学弱光非线性光子学教育部重点实验室,天津 300457; (2)南开大学弱光非线性光子学教育部重点实验室,天津 300457;南开大学物理科学学院光子学中心,天津 300071; (3)南开大学弱光非线性光子学教育部重点实验室,天津 300457;中国工程物理研究院流体物理研究所,绵阳 621900; (4)枣庄学院物理系,枣庄 277160
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60678021,10334010),教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-04-0234),天津市国际科技合作项目(批准号:06YFGHHZ00500),国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB307002,2006CB921703)和高等学校学科创新引智计划资助的课题.

摘要: 通过研究掺镁、掺锌和掺铟同成分铌酸锂晶体的紫外-红光双色全息存储性能,发现双色记录响应时间均比单色记录时明显缩短,最多的可减小3个数量级;双色记录灵敏度大幅度提高,在掺镁5 mol.%的晶体中可达到11 cm/J.在掺杂浓度超过抗光损伤阈值的铌酸锂晶体中,均可实现非挥发全息存储.但是,在掺镁、锌样品中,深、浅能级中心上的光栅反相,而在掺铟样品中则表现为同相.这是由于掺杂离子的种类不同,在铌酸锂晶体中形成的缺陷中心也不同所引起的.

English Abstract

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