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Al,Mg掺杂GaN电子结构及光学性质的第一性原理研究

郭建云 郑 广 何开华 陈敬中

Al,Mg掺杂GaN电子结构及光学性质的第一性原理研究

郭建云, 郑 广, 何开华, 陈敬中
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-10-13
  • 修回日期:  2007-12-04
  • 刊出日期:  2008-03-05

Al,Mg掺杂GaN电子结构及光学性质的第一性原理研究

  • 1. (1)中国地质大学材料科学与化学工程学院,武汉 430074; (2)中国地质大学数学与物理学院,武汉 430074;中国地质大学材料模拟与计算物理研究所,武汉 430074
    基金项目: 

    湖北省杰出青年科学基金(批准号:2006ABB031)资助的课题.

摘要: 基于密度泛函理论,采用广义梯度近似方法,计算了Al,Mg掺杂的闪锌矿型GaN的电子结构和光学性质,分析了其电子态分布与结构的关系,给出了掺杂前后GaN体系的介电函数和复折射率函数.计算结果表明掺有Mg的GaN晶体空穴浓度增大,会明显提高材料的电导率,而Al掺杂GaN晶体的载流子浓度不变,只是光学带隙变宽;通过分析掺杂前后GaN晶体的介电函数和复折射率函数,解释了体系的发光机理,为GaN材料光电性能的进一步开发与应用提供了理论依据.通过比较可知,所得出的计算结果与现有文献符合得很好.

English Abstract

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