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InGaN薄膜中电子自旋偏振弛豫的时间分辨吸收光谱研究

陈小雪 滕利华 刘晓东 黄绮雯 文锦辉 林位株 赖天树

InGaN薄膜中电子自旋偏振弛豫的时间分辨吸收光谱研究

陈小雪, 滕利华, 刘晓东, 黄绮雯, 文锦辉, 林位株, 赖天树
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  • 采用飞秒时间分辨圆偏振光抽运-探测光谱对In01Ga09N薄膜的电子自旋注入和弛豫进行了研究.获得初始自旋偏振度约为02,此结果支持在圆偏振光激发下,重、轻空穴带的跃迁强度比为3∶1,而不支持1∶1或1∶094的观点同时获得自旋偏振弛豫时间为490±70ps,定性分析了自旋弛豫机理,认为BAP机理是电子自旋弛豫的主要机理.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60490295,60678009)和高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050558030)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-07-30
  • 修回日期:  2007-11-14
  • 刊出日期:  2008-03-05

InGaN薄膜中电子自旋偏振弛豫的时间分辨吸收光谱研究

  • 1. 中山大学光电材料与技术国家重点实验室,物理科学与工程技术学院,广州 510275
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60490295,60678009)和高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050558030)资助的课题.

摘要: 采用飞秒时间分辨圆偏振光抽运-探测光谱对In01Ga09N薄膜的电子自旋注入和弛豫进行了研究.获得初始自旋偏振度约为02,此结果支持在圆偏振光激发下,重、轻空穴带的跃迁强度比为3∶1,而不支持1∶1或1∶094的观点同时获得自旋偏振弛豫时间为490±70ps,定性分析了自旋弛豫机理,认为BAP机理是电子自旋弛豫的主要机理.

English Abstract

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