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电子相关对Xe10+离子4d8—4d75p跃迁系跃迁概率的影响

高 城 沈云峰 曾交龙

电子相关对Xe10+离子4d8—4d75p跃迁系跃迁概率的影响

高 城, 沈云峰, 曾交龙
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-09-10
  • 修回日期:  2007-10-19
  • 刊出日期:  2008-07-20

电子相关对Xe10+离子4d8—4d75p跃迁系跃迁概率的影响

  • 1. 国防科技大学理学院,长沙 410073
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10774191)和新世纪高校优秀人才支持计划项目资助的课题.

摘要: 应用多组态Dirac-Fock(MCDF)方法,对Xe10+离子进行了理论计算,获得了跃迁波长和概率等数据.通过逐步引入4dn—5pn(n=1, 2, 3)电子相关的相互作用组态,重点研究了电子相关效应对4d8—4d75p跃迁系跃迁概率的影响.结果显示电子相关效应显著,表明了欲得到精确的4d8—4d75p的振子强度(跃迁概率)数据,理论计算中至少要包括到4d2—5p2的电子相关组态的影响.与实验测得的跃迁波长比较发现,理论结果与之有着较好的一致性;同时理论跃迁概率在两种规范下的结果符合得相当精确,显示了计算结果的可靠性.

English Abstract

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