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反铁电陶瓷的强电子发射特性研究

孙新利 冯玉军 黄 璇 徐 卓 盛兆玄

反铁电陶瓷的强电子发射特性研究

孙新利, 冯玉军, 黄 璇, 徐 卓, 盛兆玄
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-11-05
  • 修回日期:  2007-12-22
  • 刊出日期:  2008-07-20

反铁电陶瓷的强电子发射特性研究

  • 1. (1)第二炮兵工程学院103教研室,西安 710025; (2)西安交通大学电子材料研究所,西安 710049; (3)西安交通大学电子材料研究所,西安 710049;第二炮兵工程学院103教研室,西安 710025
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2002CB613307)和国家自然科学基金(批准号:50472052)资助的课题.

摘要: 采用掺镧锆锡钛酸铅反铁电陶瓷作为阴极材料,研究了脉冲电压激励下陶瓷的电子发射特性.当激励电压为800V、抽取电压为0V时,得到1.27A/cm2的发射电流密度;当抽取电压增加到4kV时,获得1700A/cm2的发射电流密度.分析了发射电流随抽取电压的变化关系,讨论了反铁电陶瓷强电子发射的内在机理.结果表明:掺镧锆锡钛酸铅反铁电陶瓷能够在较低的激励电压(400V)下实现电子发射,发射电流远大于按照Child-Langmuir定律计算出的电流,三接点附近局域反铁电—铁电相变产生初始电子发射,初始电子电离中性粒子形成等离子体,增强了电子发射.

English Abstract

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