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基于辐照前1/f噪声的金属-氧化物-半导体场效应晶体管辐照退化模型

彭绍泉 杜 磊 何 亮 陈伟华 庄奕琪 包军林

基于辐照前1/f噪声的金属-氧化物-半导体场效应晶体管辐照退化模型

彭绍泉, 杜 磊, 何 亮, 陈伟华, 庄奕琪, 包军林
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-09-28
  • 修回日期:  2008-04-10
  • 刊出日期:  2008-08-20

基于辐照前1/f噪声的金属-氧化物-半导体场效应晶体管辐照退化模型

  • 1. (1)西安电子科技大学技术物理学院,西安 710071; (2)西安电子科技大学微电子学院,西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60276028)资助的课题.

摘要: 基于金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)噪声的载流子数涨落和迁移率涨落理论,建立了MOSFET辐照前1/f噪声参量与辐照后分别由氧化层陷阱和界面陷阱诱使阈值电压漂移之间的定量数学模型,并通过实验予以验证.研究结果表明,辐照诱生的氧化层陷阱通过俘获和发射过程与沟道交换载流子,在引起载流子数涨落的同时也通过库仑散射导致沟道迁移率的涨落,因此辐照前的1/f噪声幅值正比于辐照诱生的氧化层陷阱数.利用该模型对MOSFET辐照前1/f噪声与辐照退化的相关性从理论上

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