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低温分子束外延生长的GaMnAs反射光谱的低能振荡现象

王建农 罗向东 姬长建 王玉琦

低温分子束外延生长的GaMnAs反射光谱的低能振荡现象

王建农, 罗向东, 姬长建, 王玉琦
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  • 通过傅里叶变换红外光谱和光调制反射光谱技术测量了不同Mn含量的低温分子束外延生长在GaAs衬底上的GaMnAs样品的反射光谱.在低于Ga(Mn)As带边的红外反射光谱和光调制反射光谱上观测到低能振荡现象.通过分析振荡产生的原因并使用双层界面反射模型拟合了红外反射光谱的低能振荡过程,拟合结果与实验相符.研究表明,反射光谱的低能振荡是由于GaMnAs中空穴浓度的变化导致GaMnAs中的折射率发生变化,GaMnAs与衬底GaAs之间的折射率差导致了不同Mn含量的GaMnAs材料的反射谱的低能振荡现象.测量了不同
    • 基金项目: 江苏省自然科学基金(批准号:BK2004403)、南通市应用研究计划(批准号:K2007016)和南通大学自然科学基金 (批准号:07Z122)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-10-11
  • 修回日期:  2008-01-21
  • 刊出日期:  2008-04-05

低温分子束外延生长的GaMnAs反射光谱的低能振荡现象

  • 1. (1)香港科技大学物理系,香港; (2)香港科技大学物理系,香港;中国科学院固体物理研究所,合肥 230031;南通大学专用集成电路设计重点实验室,南通 226007; (3)中国科学院固体物理研究所,合肥 230031
    基金项目: 

    江苏省自然科学基金(批准号:BK2004403)、南通市应用研究计划(批准号:K2007016)和南通大学自然科学基金 (批准号:07Z122)资助的课题.

摘要: 通过傅里叶变换红外光谱和光调制反射光谱技术测量了不同Mn含量的低温分子束外延生长在GaAs衬底上的GaMnAs样品的反射光谱.在低于Ga(Mn)As带边的红外反射光谱和光调制反射光谱上观测到低能振荡现象.通过分析振荡产生的原因并使用双层界面反射模型拟合了红外反射光谱的低能振荡过程,拟合结果与实验相符.研究表明,反射光谱的低能振荡是由于GaMnAs中空穴浓度的变化导致GaMnAs中的折射率发生变化,GaMnAs与衬底GaAs之间的折射率差导致了不同Mn含量的GaMnAs材料的反射谱的低能振荡现象.测量了不同

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