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掺杂水平对ZnO基变阻器电学性能的影响

符秀丽 唐为华 彭志坚

掺杂水平对ZnO基变阻器电学性能的影响

符秀丽, 唐为华, 彭志坚
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-11-27
  • 修回日期:  2008-04-28
  • 刊出日期:  2008-09-20

掺杂水平对ZnO基变阻器电学性能的影响

  • 1. (1)北京邮电大学理学院,北京 100876; (2)浙江理工大学光电材料与器件中心,杭州 310018; (3)中国地质大学(北京)工程技术学院,北京 100083
    基金项目: 

    北京邮电大学理学院新教师科研基金资助的课题.

摘要: 根据相图规则设计、制备了三个系列不同Bi2O3与Sb2O3掺杂水平的ZnO基复合变阻器材料,研究了掺杂对氧化锌复合陶瓷电学性能的影响.研究发现,当Sb元素掺杂水平较低时,随着Sb2O3掺杂量的增加,所得氧化锌基变阻器材料漏电流的变化也很小,非线性系数(非线性系数αL和击穿非线性系数αB)将减小,而场强(场

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