搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

6H碳化硅衬底上硅碳锗薄膜的生长特性研究

林 涛 陈治明 李 佳 李连碧 李青民 蒲红斌

6H碳化硅衬底上硅碳锗薄膜的生长特性研究

林 涛, 陈治明, 李 佳, 李连碧, 李青民, 蒲红斌
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  3390
  • PDF下载量:  796
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2007-10-24
  • 修回日期:  2008-02-01
  • 刊出日期:  2008-09-20

6H碳化硅衬底上硅碳锗薄膜的生长特性研究

  • 1. 西安理工大学电子工程系,西安 710048
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60576044),高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20040700001),中国博士后科学基金(批准号:20070411137)资助的课题.

摘要: 采用低压热壁化学气相沉积法,在6H-SiC衬底(0001)面上生长了不同温度(1100—1250℃),不同GeH4流量比(6.3%—25%)的SiCGe薄膜样品,研究了SiCGe薄膜的表面形貌、生长特性以及样品中Ge组分含量的变化. 扫描电镜测试结果表明,SiCGe薄膜在低温下倾向于岛状生长模式,随着生长温度提高,岛状生长逐渐过渡到层状生长模式,同时伴有岛形状和密度的变化. X射线光电子能谱测试得出SiCGe样品中的Ge含量约为0.15%—0.62%,在其他参数不变的情况下,样品的G

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回