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磁控共溅射法制备的Zn2GeO4多晶薄膜结构及其光致发光研究

王振宁 江美福 宁兆元 朱 丽

磁控共溅射法制备的Zn2GeO4多晶薄膜结构及其光致发光研究

王振宁, 江美福, 宁兆元, 朱 丽
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-09-13
  • 修回日期:  2008-03-29
  • 刊出日期:  2008-05-05

磁控共溅射法制备的Zn2GeO4多晶薄膜结构及其光致发光研究

  • 1. 苏州大学物理科学与技术学院,苏州 215006

摘要: 用射频磁控共溅射方法在不同温度的单晶硅基片上生长薄膜,然后在800℃真空环境下对薄膜进行退火处理,成功获得了结晶状态良好的Zn2GeO4多晶薄膜.利用X射线衍射(XRD),X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)对薄膜进行了结构、成分和形貌分析,研究了基片温度对三者的影响. 结果显示,当基片温度升高到400℃以上时,薄膜中的Zn2GeO4晶粒在(220)方向上显示出了明显的择优取向. 当基片温度在500—600℃范围内,有利于GeO2结晶相的形成. XPS显示薄膜中存在着Zn2GeO4,GeO2,GeO,ZnO四种化合态. 同时,随着基片温度的升高,晶粒尺寸增大且薄膜表面趋于平整. 薄膜的光致发光在绿光带存在中心波长为530和550nm两个峰,应该归因于主体材料Zn2GeO4中两个不同的Ge2+的发光中心.

English Abstract

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