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GeC薄膜的射频磁控反应溅射制备及性质

李阳平 刘正堂 刘文婷 闫 峰 陈 静

GeC薄膜的射频磁控反应溅射制备及性质

李阳平, 刘正堂, 刘文婷, 闫 峰, 陈 静
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-11-20
  • 修回日期:  2008-02-03
  • 刊出日期:  2008-05-05

GeC薄膜的射频磁控反应溅射制备及性质

  • 1. 西北工业大学材料学院,西安 710072
    基金项目: 

    国家航空科学基金(批准号:04G53043)资助的课题.

摘要: 用射频磁控反应溅射法在ZnS衬底上制备了GeC薄膜,研究了工艺参数对Ge靶溅射及GeC薄膜红外透射性能的影响.衬底温度较低时GeC薄膜中含有H,形成了CH2,CH3,Ge-CH3等,使薄膜产生红外吸收;随衬底温度升高,薄膜红外吸收明显减小.靶基距、射频功率、Ar:CH4气体流量比、总气压对靶面中毒及溅射影响较大,但对GeC薄膜红外吸收影响较小.靶面中毒严重时,所制备无氢GeC薄膜附着性能差,随靶中毒减弱薄膜附着性能变好.优化工艺后,在ZnS衬底上制备了附着性能良好的无氢GeC薄膜,其折射率约为1.78,薄膜中C的含量比Ge的大,二者主要形成了C—Ge键.所制备的GeC/GaP红外增透保护膜系对ZnS衬底有良好的增透效果.

English Abstract

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