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立方氮化硼薄膜的光学带隙

邓金祥 汪旭洋 姚 倩 周 涛 张晓康

立方氮化硼薄膜的光学带隙

邓金祥, 汪旭洋, 姚 倩, 周 涛, 张晓康
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-02-04
  • 修回日期:  2008-04-01
  • 刊出日期:  2008-05-05

立方氮化硼薄膜的光学带隙

  • 1. (1)北京工业大学应用数理学院,北京 100022; (2)兰州大学物理学院,兰州 730000
    基金项目: 

    北京市自然科学基金(批准号:4072007),国家自然科学基金(批准号:60376007)和北京市属市管高等学校人才强教计划资助的课题.

摘要: 用射频溅射法在p型Si(100)衬底上沉积立方氮化硼(c-BN)薄膜,薄膜的成分由傅里叶变换红外谱标识,用紫外-可见分光光度计测量了c-BN薄膜的反射光谱,利用K-K(Kramers-Kroning)关系从反射谱计算出c-BN薄膜的光吸收系数,进而确定c-BN薄膜的光学带隙.对于立方相含量为55.4%的c-BN薄膜,光学带隙为5.38eV.

English Abstract

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