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纳米体系中发光能隙展宽的研究

刘一星 余亚斌 张 丽 全 军

纳米体系中发光能隙展宽的研究

刘一星, 余亚斌, 张 丽, 全 军
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-03-08
  • 修回日期:  2008-04-15
  • 刊出日期:  2008-11-20

纳米体系中发光能隙展宽的研究

  • 1. 湖南大学物理与微电子科学学院,长沙 410082
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10774041)资助的课题.

摘要: 采用两种简单的一维模型,通过直接严格求解该模型下薛定鄂方程给出晶场中的限域情况下电子能级结构以及纳米体系中电子的限域能,从而研究体系的发光蓝移现象.基于限域能的计算,讨论了纳米体系的限域能和发光蓝移随尺寸以及势场的变化关系.结果表明:导带底的电子能级随体系的尺寸增大而降低;而价带顶则随粒径的增大而升高,因此,限域能随纳米尺寸的减小迅速增大.同时将计算结果与通常文献中所采用的有效质量计算的结果进行比较,可以看出二者有明显差别,且尺寸越小,其差异越大.因此,限域能随尺寸的变化并不严格满足通过有效质量方法计算出

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