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基于X射线衍射的GaN薄膜厚度的精确测量

李洪涛 罗 毅 席光义 汪 莱 江 洋 赵 维 韩彦军 郝智彪 孙长征

基于X射线衍射的GaN薄膜厚度的精确测量

李洪涛, 罗 毅, 席光义, 汪 莱, 江 洋, 赵 维, 韩彦军, 郝智彪, 孙长征
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-01-20
  • 修回日期:  2008-05-27
  • 刊出日期:  2008-11-20

基于X射线衍射的GaN薄膜厚度的精确测量

  • 1. 清华信息科学与技术国家实验室(筹)/集成光电子学国家重点实验室,清华大学电子工程系,北京 100084
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60536020,60723002),国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2006CB302801,2006CB302804,2006CB302806, 2006CB921106),国家高技术研究发展计划(863)(批准号:2006AA03A105),北京市科委重大计划(批准号:D0404003040321)资助的课题.

摘要: 结合Williamson-Hall plot方法和线型分析方法的优点,提出了一种有效分离有限晶粒尺寸和非均匀应力等X射线衍射展宽效应的方法,可以用于GaN外延层厚度等参数的快速精确测量.用该方法对一系列在蓝宝石衬底上生长的厚度在0.7—4.2μm的GaN外延膜进行了测量,并与椭圆偏振光谱法测量结果进行了比较,结果表明其差别<4%,反应了这种方法的准确性.

English Abstract

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