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高增益双层组合GaAs光电导开关设计与实验研究

施 卫 王馨梅 侯 磊 徐 鸣 刘 峥

高增益双层组合GaAs光电导开关设计与实验研究

施 卫, 王馨梅, 侯 磊, 徐 鸣, 刘 峥
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-05-11
  • 修回日期:  2008-06-06
  • 刊出日期:  2008-11-20

高增益双层组合GaAs光电导开关设计与实验研究

  • 1. 西安理工大学应用物理系,西安 710048
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(973计划)(批准号: 2007CB310406)和国家自然科学基金(批准号: 50477011,50837005)资助的课题.

摘要: 设计制备了一种由双层半绝缘GaAs:EL2晶体组成的新型超快光电导功率开关.由于触发状态下双层GaAs晶体之间满足动态分压关系,使该开关在强电场偏置下触发时,双层GaAs晶体既能先后发生高增益过程,又能相互抑制对方进入锁定状态,开关输出为近似方波的双峰脉冲.因此,这种开关的工作方式既具有非线性模式特有的所需触发光能小、上升速度快等优点,又具有线性模式特有的重复工作频率高、使用寿命长等优点.偏压6500V时用脉宽8ns、能量3mJ的1064nm激光触发,输出电脉冲的上升沿为13.2ns,下降沿为54.6ns

English Abstract

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