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中红外下半导体掺杂调制的表面等离子体透射增强效应

花 磊 宋国峰 郭宝山 汪卫敏 张 宇

中红外下半导体掺杂调制的表面等离子体透射增强效应

花 磊, 宋国峰, 郭宝山, 汪卫敏, 张 宇
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-03-26
  • 修回日期:  2008-06-03
  • 刊出日期:  2008-11-20

中红外下半导体掺杂调制的表面等离子体透射增强效应

  • 1. 中国科学院半导体研究所,北京 100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60876049)资助的课题.

摘要: 理论研究了平面电磁波通过n型重掺GaAs薄膜的透射谱.当GaAs薄膜两表面刻上亚波长的周期性沟槽结构时,透射谱在中红外波段出现了异常的透射增强现象.把这一现象归因于表面等离子体模式和波导模式的耦合.通过优化结构参数可以得到最大的透射效率.此外,发现随着掺杂浓度的升高,透射谱线中的透射峰逐渐向高频方向移动,最优化后透射峰值随掺杂浓度的升高而逐渐降低.这是由于掺杂浓度的改变,导致了不同的等离子体频率和电子碰撞频率,从而影响了激发模式和薄膜对电磁波的吸收.

English Abstract

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