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基于半导体光放大器的一阶IIR微波光子学滤波器及其品质因素分析

周俐娜 张新亮 徐恩明 黄德修

基于半导体光放大器的一阶IIR微波光子学滤波器及其品质因素分析

周俐娜, 张新亮, 徐恩明, 黄德修
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-01-12
  • 修回日期:  2008-07-31
  • 刊出日期:  2009-01-05

基于半导体光放大器的一阶IIR微波光子学滤波器及其品质因素分析

  • 1. (1)华中科技大学武汉光电国家实验室(筹)和光电子科学与工程学院,武汉 430074; (2)华中科技大学武汉光电国家实验室(筹)和光电子科学与工程学院,武汉 430074;中国地质大学物理系,武汉 430074
    基金项目: 

    国家重大基础研究计划(批准号:2006CB320805)和教育部新世纪优秀人才支持计划项目(批准号:NCET-04-0715)资助的课题.

摘要: 对基于半导体光放大器(SOA)环形腔结构的一阶无限冲击响应(IIR)微波光子学滤波器的品质因数(Q值)进行了实验和理论研究. 通过在有源环内置入窄带光滤波器,并调节有源环的输入光功率、SOA抽运电流、实验得到的最高Q值接近200. 理论分析表明为了得到较高的Q值,应尽可能提高信噪比和信号光的环路增益. 在考虑了 SOA中放大的自发辐射(ASE)噪声的基础上,计算了输入光功率、SOA抽运电流、环内光滤波器的带宽对Q值的影响. 数值计算的结果与实验现象基

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