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高压超大电流光电导开关及其击穿特性研究

施卫 田立强 王馨梅 徐鸣 马德明 周良骥 刘宏伟 谢卫平

高压超大电流光电导开关及其击穿特性研究

施卫, 田立强, 王馨梅, 徐鸣, 马德明, 周良骥, 刘宏伟, 谢卫平
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-02-23
  • 修回日期:  2008-08-05
  • 刊出日期:  2009-02-20

高压超大电流光电导开关及其击穿特性研究

  • 1. (1)西安理工大学理学院应用物理系,西安 710048; (2)中国工程物理研究院流体物理研究所,绵阳 621900
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号: 50837005,10876026)、国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB310406)和西安理工大学优秀博士研究基金(批准号: 207-210006)资助的课题.

摘要: 研制了耐压达32 kV,通态峰值电流达3.7 kA的高压超大电流半绝缘GaAs光电导开关.分析了光电导开关在强场下的击穿机理,指出对于间接能带间隙光导材料(如Si)制作的光电导开关,开关的击穿电压主要由陷阱填充限制电导模型决定.而对于直接能带间隙光导材料(如GaAs,InP等)制作的光电导开关,开关击穿主要是由开关体负阻效应在开关阳极产生的空间电荷累积所导致的开关阳极电场剧增引起的.基于转移电子效应对GaAs光电导开关击穿电压进行了理论计算,计算结果与实验相一致.

English Abstract

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