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高速沉积微晶硅薄膜光发射谱的研究

韩晓艳 耿新华 侯国付 张晓丹 李贵君 袁育杰 魏长春 孙建 张德坤 赵颖

高速沉积微晶硅薄膜光发射谱的研究

韩晓艳, 耿新华, 侯国付, 张晓丹, 李贵君, 袁育杰, 魏长春, 孙建, 张德坤, 赵颖
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-02-14
  • 修回日期:  2008-07-15
  • 刊出日期:  2009-01-05

高速沉积微晶硅薄膜光发射谱的研究

  • 1. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CB202602,2006CB202603)、国家自然科学基金(批准号:60506003)和国家科技计划配套项目(批准号:07QTPTJC29500)资助的课题.

摘要: 采用PR650光谱光度计对高速沉积微晶硅薄膜的生长过程进行了在线监测研究,并对所对应的材料进行了Raman谱和红外吸收谱(FTIR)的测试.结果表明:能反映材料晶化程度的I[SiH*]/I[Hβ*]比值在沉积时间为100 s之内有下降的趋势,且反应气体总流量Tfl越小下降趋势越明显,这与拉曼散射光谱对材料的结构测试结果一致;沉积5 min时I

English Abstract

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