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p型掺杂1.3μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究

季海铭 曹玉莲 杨涛 马文全 曹青 陈良惠

p型掺杂1.3μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究

季海铭, 曹玉莲, 杨涛, 马文全, 曹青, 陈良惠
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-07-23
  • 修回日期:  2008-09-02
  • 刊出日期:  2009-03-20

p型掺杂1.3μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益特性的研究

  • 1. 中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室,北京 100083
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划(863)(批准号:2006AA03Z401)中国科学院“百人计划”和国家自然科学基金(批准号:60776043, 60706008)资助的课题.

摘要: 对p型掺杂13 μm InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益进行了实验和理论分析.实验上,测量了不同腔长激光器阈值电流密度与总损耗的对应关系,拟合出的最大模式增益为175 cm-1,与相同结构非掺杂量子点激光器的最大模式增益一致.同时理论分析表明,p型掺杂对InAs/GaAs量子点激光器的最大模式增益并无影响,并且最大模式增益的计算结果与实验值相符.具有较小高度或高宽比的量子点能达到更高的最大模式增益,而较高的最大模式增益对p型掺杂13 μm InAs/GaAs自组织量子点激光器在光通信系统中的应用具有重要意义.

English Abstract

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