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AlGaN/GaN槽栅HEMT模拟与实验研究

王冲 全思 张金凤 郝跃 冯倩 陈军峰

AlGaN/GaN槽栅HEMT模拟与实验研究

王冲, 全思, 张金凤, 郝跃, 冯倩, 陈军峰
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-03-14
  • 修回日期:  2008-09-09
  • 刊出日期:  2009-03-20

AlGaN/GaN槽栅HEMT模拟与实验研究

  • 1. 西安电子科技大学微电子研究所,西安 710071;宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金重点项目(批准号:60736033)资助的课题.

摘要: 分析了栅槽深度对AlGaN/GaN HEMT特性的影响,并对不同栅槽深度的器件特性进行了模拟,得到了器件饱和电流、最大跨导和阈值电压随栅槽深度的变化规律.当槽栅深度增大,器件饱和电流逐渐下降,而最大跨导逐渐增大,阈值电压向X轴正方向移动.研制出不同栅槽深度的蓝宝石衬底AlGaN/GaN HEMT,用实验数据验证了得到的不同栅槽深度器件特性变化规律.从刻蚀损伤和刻蚀引入界面态的角度分析了模拟与实验规律产生差别的原因.

English Abstract

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