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外电场作用下二氧化硅分子的光激发特性研究

徐国亮 吕文静 刘玉芳 朱遵略 张现周 孙金锋

外电场作用下二氧化硅分子的光激发特性研究

徐国亮, 吕文静, 刘玉芳, 朱遵略, 张现周, 孙金锋
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-05-18
  • 修回日期:  2008-06-22
  • 刊出日期:  2009-05-20

外电场作用下二氧化硅分子的光激发特性研究

  • 1. 河南师范大学物理与信息工程学院,新乡 453007
    基金项目: 

    河南省教育厅基础研究项目(批准号:2008A140006),国家自然科学基金(批准号:10774039)和河南省自然科学基金(批准号:072300410130)资助的课题.

摘要: 采用密度泛函B3P86和组态相互作用方法在6-311G**基组水平上计算了二氧化硅分子从基态到前5个激发态的跃迁波长、振子强度、自发辐射系数An0和吸收系数B0n(n=1—5).研究了外电场对二氧化硅分子激发态的影响规律. 结果表明,随外电场强度增大,最高占据轨道与最低空轨道能隙变小,占据轨道的电子易于激发至空轨道. 因而在外场作用下分子易于激发.

English Abstract

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