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湿法刻蚀对Si基片孔点阵及ZnO外延薄膜周期形貌的影响

苏希玉 张天冲 梅增霞 刘章龙 刘尧平 郭阳 杜小龙 薛其坤 崔秀芝

湿法刻蚀对Si基片孔点阵及ZnO外延薄膜周期形貌的影响

苏希玉, 张天冲, 梅增霞, 刘章龙, 刘尧平, 郭阳, 杜小龙, 薛其坤, 崔秀芝
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-05-04
  • 修回日期:  2008-06-26
  • 刊出日期:  2009-01-20

湿法刻蚀对Si基片孔点阵及ZnO外延薄膜周期形貌的影响

  • 1. (1)曲阜师范大学物理工程学院,曲阜 273165; (2)中国科学院物理研究所,北京 100190; (3)中国科学院物理研究所,北京 100190;清华大学物理系,北京 100084; (4)中国科学院物理研究所,北京 100190;曲阜师范大学物理工程学院,曲阜 273165
    基金项目: 

    国家科学基金(批准号:50532090, 60606023和10604007),国家科技部(批准号:2007CB936203)和中国科学院资助的课题.

摘要: 利用射频等离子体辅助分子束外延法,在刻有周期性孔点阵结构的Si衬底上生长了ZnO二维周期结构薄膜,系统研究了湿法化学刻蚀对孔形点阵Si(100),Si(111)基片表面形貌的影响,以及两种初底上ZnO外延薄膜的结晶质量与周期形貌的差异.X射线衍射及扫描电子显微测试结果表明:Si (111)衬底上生长出的ZnO二维周期结构薄膜具有较好的结晶质量与较好的周期性表面形貌.该研究结果为二维周期结构的制备提供了一种新颖的方法.

English Abstract

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