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厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响

汤晨光 陈涌海 王占国 张曾 张荣 谢自力 刘斌 修向前 李弋 傅德颐 陆海 陈鹏 韩平 郑有炓

厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响

汤晨光, 陈涌海, 王占国, 张曾, 张荣, 谢自力, 刘斌, 修向前, 李弋, 傅德颐, 陆海, 陈鹏, 韩平, 郑有炓
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-11-03
  • 修回日期:  2008-11-24
  • 刊出日期:  2009-05-20

厚度对MOCVD生长InN薄膜位错特性与光电性质的影响

  • 1. (1)半导体材料科学重点实验室,中国科学院半导体研究所,北京 100083; (2)江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京 210093
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2006CB6049),国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03A103,2006AA03A118),国家自然科学基金(批准号:60721063, 60731160628),南京大学扬州光电研究院研发基金(批准号:2008003,2008007,2008008)资助的课题.

摘要: 研究了金属有机物化学气相沉积法制备的不同厚度InN薄膜的位错特性与光电性质.基于马赛克微晶模型,通过X射线衍射非对称面摇摆曲线测量,拟合出样品刃型位错密度分别为4.2×1010cm-2和6.3×1010cm-2,并发现样品的微晶扭转角与位错密度随薄膜厚度增加而减小.通过室温霍尔效应测量得到样品载流子浓度分别为9×1018cm-3和1.2×1018cm

English Abstract

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