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聚合物P3HT在不同退火温度下的空穴传输特性

尹丽琴 彭俊彪

聚合物P3HT在不同退火温度下的空穴传输特性

尹丽琴, 彭俊彪
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-10-31
  • 修回日期:  2008-11-22
  • 刊出日期:  2009-05-20

聚合物P3HT在不同退火温度下的空穴传输特性

  • 1. (1)华南理工大学高分子光电材料与器件研究所,广州 510640; (2)华南理工大学高分子光电材料与器件研究所,广州 510640;华南理工大学特种功能材料及其制备新技术教育部重点实验室,广州 510640
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50573024, 50433030), 国家教育部项目 (批准号:104208)和国家重点基础研究发展计划(批准号:2009CB623604)资助的课题.

摘要: 运用交流阻抗方法系统研究了单空穴注入型器件ITO/PEDOT/P3HT/Ag(P3HT:poly(3-hexylthiophene))在多种退火温度下的电容-频率变化关系,推算出样品中相应条件下的空穴迁移率,发现退火温度对空穴迁移率有明显影响,未经过退火的样品空穴迁移率为10-4cm2/Vs数量级,迁移率数值基本不随电场强度的改变而变化,退火后样品的空穴迁移率有明显提高,约为10-3cm2/Vs数量级,此时,空穴迁移率

English Abstract

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