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柱状与孔状图形衬底对MOVPE生长GaN体材料及LED器件的影响

江洋 罗毅 汪莱 李洪涛 席光义 赵维 韩彦军

柱状与孔状图形衬底对MOVPE生长GaN体材料及LED器件的影响

江洋, 罗毅, 汪莱, 李洪涛, 席光义, 赵维, 韩彦军
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-10-17
  • 修回日期:  2008-11-03
  • 刊出日期:  2009-05-20

柱状与孔状图形衬底对MOVPE生长GaN体材料及LED器件的影响

  • 1. 清华大学电子工程系,集成光电子学国家重点实验室,北京 100084
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60536020,60723002),国家重点基础研究发展计划“973”(批准号:2006CB302801,2006CB302804,2006CB302806, 2006CB921106),国家高技术研究发展计划“863”(批准号:2006AA03A105),北京市科委重大计划(批准号:D0404003040321)资助的课题.

摘要: 在柱状图形蓝宝石衬底(PSS-p)和孔状图形蓝宝石衬底(PSS-h)上外延了GaN体材料和LED结构并进行了详细对比和分析.X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)测试结果表明,PSS-h上体材料的晶体质量和表面形貌都优于PSS-p上体材料的特性,通过断面扫面电子显微镜(SEM)照片看出PSS-h上GaN的侧向生长是导致这种差异的原因.另外,基于PSS-p和PSS-h上外延的LED材料制作而成的器件结果表明,其20?mA下光功率水平相比普通蓝宝石衬底(CSS)分别提高了46%和33%.通过变温光荧光

English Abstract

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