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单根砷掺杂氧化锌纳米线场效应晶体管的电学及光学特性

张俊艳 邓天松 沈昕 朱孔涛 张琦锋 吴锦雷

单根砷掺杂氧化锌纳米线场效应晶体管的电学及光学特性

张俊艳, 邓天松, 沈昕, 朱孔涛, 张琦锋, 吴锦雷
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-10-06
  • 修回日期:  2008-12-08
  • 刊出日期:  2009-06-20

单根砷掺杂氧化锌纳米线场效应晶体管的电学及光学特性

  • 1. 北京大学电子学系,纳米器件物理与化学教育部重点实验室,北京 100871
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50672002)和国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB936204)资助的课题.

摘要: 采用化学气相沉积(CVD)的方法在砷化镓基底上合成直径为20 nm左右、长约数十微米的氧化锌纳米线,然后采用热扩散的方法,将生长于砷化镓基底之上的氧化锌纳米线通过600 ℃,30 min的有氧退火处理后,获得了砷掺杂的氧化锌纳米线.将获得的掺杂后的氧化锌纳米线采用电子束曝光以及真空溅射镀膜的方法将钛/金合金作为接触电极引出,从而构建成场效应晶体管.文中研究了单根氧化锌纳米线砷掺杂前后的电学特性,证实了通过砷掺杂来获得p型的氧化锌纳米线的可行性.构建的p型砷掺杂氧化锌场效应晶体管的跨导为35 nA/V,载流

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