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负脉冲激励下PLZST电子发射特征及发射机理研究

张琳丽 徐卓 冯玉军 盛兆玄

负脉冲激励下PLZST电子发射特征及发射机理研究

张琳丽, 徐卓, 冯玉军, 盛兆玄
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  • 采用固态烧结工艺制备了位于反铁电/铁电相界附近的掺镧锆锡钛酸铅(PLZST)反铁电陶瓷样品.采用该样品作为阴极材料,研究了其在负脉冲激励电场下的电子发射行为.负脉冲激励下,0.5 mm厚PLZST反铁电陶瓷圆片发射阈值电压为500 V;当激励电压为500 V,抽取电压为3.5 kV时,得到690 A发射电流.结果表明,PLZST反铁电陶瓷发射阈值电压低,发射电流大,即使激励电场低于陶瓷的正向开关电场,仍能得到强发射电流.最后,讨论了PLZST反铁电陶瓷在负脉冲激励下电子发射内在机制.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:50632030,10474077)和国家重点基础研究发展计划(批准号:2002CB613307)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-06-23
  • 修回日期:  2008-08-06
  • 刊出日期:  2009-03-05

负脉冲激励下PLZST电子发射特征及发射机理研究

  • 1. (1)西安建筑科技大学物理系,西安 710055;西安交通大学电子材料与器件教育部重点实验室,西安 710049; (2)西安交通大学电子材料与器件教育部重点实验室,西安 710049
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50632030,10474077)和国家重点基础研究发展计划(批准号:2002CB613307)资助的课题.

摘要: 采用固态烧结工艺制备了位于反铁电/铁电相界附近的掺镧锆锡钛酸铅(PLZST)反铁电陶瓷样品.采用该样品作为阴极材料,研究了其在负脉冲激励电场下的电子发射行为.负脉冲激励下,0.5 mm厚PLZST反铁电陶瓷圆片发射阈值电压为500 V;当激励电压为500 V,抽取电压为3.5 kV时,得到690 A发射电流.结果表明,PLZST反铁电陶瓷发射阈值电压低,发射电流大,即使激励电场低于陶瓷的正向开关电场,仍能得到强发射电流.最后,讨论了PLZST反铁电陶瓷在负脉冲激励下电子发射内在机制.

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