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PECVD制备AZO(ZnO:Al)透明导电薄膜

陈兆权 刘明海 刘玉萍 陈伟 罗志清 胡希伟

PECVD制备AZO(ZnO:Al)透明导电薄膜

陈兆权, 刘明海, 刘玉萍, 陈伟, 罗志清, 胡希伟
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-08-30
  • 修回日期:  2008-10-17
  • 刊出日期:  2009-06-20

PECVD制备AZO(ZnO:Al)透明导电薄膜

  • 1. 华中科技大学电气与电子工程学院,核聚变与电磁新技术教育部重点实验室,武汉 430074
    基金项目: 

    国家教育部留学回国人员科研启动基金资助的课题.

摘要: 采用PECVD(等离子体增强化学气相沉积)工艺在普通玻璃和Si基上制备出了方块电阻低至89 Ω,可见光透过率高达79%,对基体附着力强的多晶态的AZO(ZnO:Al)薄膜.采用PECVD法制备AZO薄膜是一种有益的尝试,AZO透明导电薄膜不仅具有与ITO(透明导电薄膜,如In2O3:Sn)可比拟的光电特性,而且价格低廉、无毒,在氢等离子体环境中更稳定,所获结果对实际工艺条件的选择具有一定借鉴作用和参考价值.

English Abstract

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