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有效质量差异和电场对GaN/AlxGa1-xN球形量子点电子结构的影响

吴慧婷 王海龙 姜黎明

有效质量差异和电场对GaN/AlxGa1-xN球形量子点电子结构的影响

吴慧婷, 王海龙, 姜黎明
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-05-20
  • 修回日期:  2008-07-23
  • 刊出日期:  2009-01-20

有效质量差异和电场对GaN/AlxGa1-xN球形量子点电子结构的影响

  • 1. 曲阜师范大学物理工程学院,曲阜 273165
    基金项目: 

    教育部留学回国人员科研启动基金资助的课题.

摘要: 用平面波展开法对GaN/AlxGa1-xN球形量子点中类氢杂质态能级随量子点半径、Al组分以及结合能随Al组分的变化规律进行了详细讨论.计算了量子点内外有效质量差异对杂质态能级和结合能的修正,结果表明对于Al组分较高的GaN/AlxGa1-xN球形量子点,电子有效质量差异对杂质能级和结合能的修正不能忽略.考虑电子有效质量差异后,进一步具体计算了杂质结合能随量子点半

English Abstract

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