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掺氮碳化硅纳米管电子结构的第一性原理研究

宋久旭 杨银堂 刘红霞 张志勇

掺氮碳化硅纳米管电子结构的第一性原理研究

宋久旭, 杨银堂, 刘红霞, 张志勇
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-10-01
  • 修回日期:  2008-12-13
  • 刊出日期:  2009-07-20

掺氮碳化硅纳米管电子结构的第一性原理研究

  • 1. (1)西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点试验室,西安 710071; (2)西北大学信息科学与技术学院,西安 710069
    基金项目: 

    国家部委预研项目(批准号:51308030201)资助的课题.

摘要: 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,对本征碳化硅纳米管和掺氮碳化硅纳米管的电子结构进行了计算.计算表明本征(8,0)碳化硅为直接带隙半导体,能带间隙为0.94 eV;掺氮浓度为1.56%和3.12%的碳化硅纳米管的能带间隙减小为0.83 eV和0.74 eV.从差分电荷密度可以看出,能带间隙的减小是氮硅键与碳硅键相比共价成键能力降低的结果.

English Abstract

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