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应变Si沟道nMOSFET阈值电压模型

张志锋 张鹤鸣 胡辉勇 宣荣喜 宋建军

应变Si沟道nMOSFET阈值电压模型

张志锋, 张鹤鸣, 胡辉勇, 宣荣喜, 宋建军
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-09-29
  • 修回日期:  2008-12-21
  • 刊出日期:  2009-07-20

应变Si沟道nMOSFET阈值电压模型

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家部委预研基金(批准号:51308040203,9140A08060407DZ0103,9140C0905040706)资助的课题.

摘要: 在研究分析弛豫SiGe衬底上的应变Si 沟道nMOSFET纵向电势分布的基础上,建立了应变Si nMOSFET阈值电压模型,并利用该模型对不同的器件结构参数进行仿真,获得了阈值电压与SiGe层掺杂浓度和Ge组分的关系、阈值电压偏移量与SiGe层中Ge组分的关系、阈值电压与应变Si层掺杂浓度和厚度的关系. 分析结果表明:阈值电压随SiGe层中Ge组分的提高而降低,随着SiGe层的掺杂浓度的提高而增大;阈值电压随应变Si层的掺杂浓度的提高而增大,随应变Si层厚度增大而增大. 该模型为应变Si 器件阈值电压设计

English Abstract

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