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应变Si/(001)Si1-xGex空穴有效质量各向异性

宋建军 张鹤鸣 宣荣喜 胡辉勇 戴显英

应变Si/(001)Si1-xGex空穴有效质量各向异性

宋建军, 张鹤鸣, 宣荣喜, 胡辉勇, 戴显英
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-10-22
  • 修回日期:  2008-12-08
  • 刊出日期:  2009-07-20

应变Si/(001)Si1-xGex空穴有效质量各向异性

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家部委项目(批准号:51308040203,9140A08060407DZ0103)资助的课题.

摘要: 基于应变Si/(001)Si1-xGex材料价带E(k)-k关系模型,研究获得了其沿不同晶向的空穴有效质量.结果表明,与弛豫材料相比,应变Si/(001)Si1-xGex材料价带带边(重空穴带)、亚带边(轻空穴带)空穴有效质量在某些k矢方向变化显著,各向异性更加明显.价带空穴有效质量与迁移率密切相关,该研究成

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