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用PAA模板法实现硅基纳米孔阵列结构

白安琪 胡迪 丁武昌 苏少坚 胡炜玄 薛春来 樊中朝 成步文 俞育德 王启明

用PAA模板法实现硅基纳米孔阵列结构

白安琪, 胡迪, 丁武昌, 苏少坚, 胡炜玄, 薛春来, 樊中朝, 成步文, 俞育德, 王启明
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-11-14
  • 修回日期:  2008-12-22
  • 刊出日期:  2009-07-20

用PAA模板法实现硅基纳米孔阵列结构

  • 1. 中国科学院半导体所,集成光电子国家重点实验室,北京 100083
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB613404),国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA03Z415),国家自然科学基金(批准号:60676005)资助的课题.

摘要: 用二次阳极氧化方法制备出分立、双向贯通并且超薄(500—1000 nm)的多孔阳极氧化铝膜,贴合到硅片上进行干法刻蚀,实现图形转移,得到了硅基纳米孔阵列结构,并对工艺中影响图形转移质量的因素进行了探索.扫描电镜(SEM)测试结果表明该途径得到的纳米结构孔形态均匀且大面积有序,孔深度可达到125 nm.对该样品进行热氧化处理后进行光致发光(PL)测试,结果表明其光致发光机理是基于通常较微弱的TO声子辅助的硅带边发光,并实现了显著发光增强,对这种增强效果的物理机理进行了理论分析.该结构具有的独特光学特性为利用

English Abstract

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