搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

择优取向MgO在Si衬底上的直流溅射制备及其性能表征

傅兴海 尹伊 张磊 叶辉

择优取向MgO在Si衬底上的直流溅射制备及其性能表征

傅兴海, 尹伊, 张磊, 叶辉
PDF
导出引用
导出核心图
  • 采用直流磁控溅射并通过优化工艺参数,在(100)Si衬底上成功制备了高度(100)择优的MgO薄膜和MgO/TiN双层膜结构.对 (100)MgO择优取向温度影响机理做了详细讨论,并利用XRD,AFM,FESEM等手段研究了在(100)Si和(100)TiN/Si两种衬底上,不同工艺条件下MgO薄膜的表面和断面微观结构,表征了MgO薄膜的柱状生长结构和与TiN薄膜的良好外延关系.在对薄膜光学特性的研究中,利用Sellmeier模型获得了Si上MgO薄膜在可见光波段的折射率参数(550 nm处折射率为1.6
    • 基金项目: 国家自然科学基金 (批准号:60578012)和浙江省自然科学基金(批准号:X405002)资助的课题.
  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  4196
  • PDF下载量:  1279
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2008-10-23
  • 修回日期:  2008-11-04
  • 刊出日期:  2009-07-20

择优取向MgO在Si衬底上的直流溅射制备及其性能表征

  • 1. 浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,杭州\ 310027
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号:60578012)和浙江省自然科学基金(批准号:X405002)资助的课题.

摘要: 采用直流磁控溅射并通过优化工艺参数,在(100)Si衬底上成功制备了高度(100)择优的MgO薄膜和MgO/TiN双层膜结构.对 (100)MgO择优取向温度影响机理做了详细讨论,并利用XRD,AFM,FESEM等手段研究了在(100)Si和(100)TiN/Si两种衬底上,不同工艺条件下MgO薄膜的表面和断面微观结构,表征了MgO薄膜的柱状生长结构和与TiN薄膜的良好外延关系.在对薄膜光学特性的研究中,利用Sellmeier模型获得了Si上MgO薄膜在可见光波段的折射率参数(550 nm处折射率为1.6

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回