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择优取向MgO缓冲层上制备的硅基Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜的结构和性能研究

尹伊 傅兴海 张磊 叶辉

择优取向MgO缓冲层上制备的硅基Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜的结构和性能研究

尹伊, 傅兴海, 张磊, 叶辉
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-10-07
  • 修回日期:  2008-11-06
  • 刊出日期:  2009-07-20

择优取向MgO缓冲层上制备的硅基Ba0.7Sr0.3TiO3薄膜的结构和性能研究

  • 1. 浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,杭州 300027
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60578012)和浙江省自然科学基金(批准号:X405002)资助的课题.

摘要: 分别采用sol-gel法和磁控溅射法在Si(001)单晶衬底上制备出(111)和(001)取向的MgO缓冲层薄膜,随后在其上生长Ba0.7Sr0.3TiO3(BST30)铁电薄膜.通过X射线衍射,扫描电子显微镜,原子力显微镜等方法研究了薄膜的微结构.实验结果发现,在较厚的MgO(001)缓冲层上可长出(101)取向的BST30薄膜,而在较薄的MgO(111) 缓冲层上则表现出(101)和(111)取向相互竞争的现象,随着MgO(111)缓冲

English Abstract

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