搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

等离子体发射光谱诊断用于射频磁控溅射GaP薄膜的工艺参数优化

李阳平 刘正堂

等离子体发射光谱诊断用于射频磁控溅射GaP薄膜的工艺参数优化

李阳平, 刘正堂
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  3384
  • PDF下载量:  867
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2008-10-15
  • 修回日期:  2008-11-09
  • 刊出日期:  2009-07-20

等离子体发射光谱诊断用于射频磁控溅射GaP薄膜的工艺参数优化

  • 1. 西北工业大学材料学院,西安 710072
    基金项目: 

    航空科学基金(批准号:2008ZE53043)资助的课题.

摘要: 以GaP为靶材、Ar为工作气体,采用射频磁控溅射法制备了厚层GaP膜.对沉积过程中的辉光放电等离子体进行了发射光谱诊断,发现只有ArⅠ发射谱线.研究了工艺参数对发射谱线强度的影响规律,并在此基础上通过同时改变射频功率、Ar气流量及工作气压,使ArⅠ发射谱线强度保持相同.发现通过增大射频功率、减小工作气压而保持ArⅠ发射谱线强度不变可以提高GaP膜的沉积速率,并使GaP膜的沉积工艺参数得到优化.在优化后的工艺参数下制备出了符合化学计量比、红外透过性能好的厚层GaP膜.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回