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GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子辐照损伤效应

吴宜勇 杨德庄 何世禹 胡建民 钱勇

GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子辐照损伤效应

吴宜勇, 杨德庄, 何世禹, 胡建民, 钱勇
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-07-02
  • 修回日期:  2008-11-07
  • 刊出日期:  2009-07-20

GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的电子辐照损伤效应

  • 1. (1)哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,哈尔滨 150001; (2)哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,哈尔滨 150001;哈尔滨师范大学阿城学院,哈尔滨 150301; (3)上海空间电源研究所,上海 200233

摘要: 研究了1 MeV和1.8 MeV电子辐照下GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的辐照损伤效应.电学性能研究结果表明,GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的开路电压、短路电流和最大功率随辐照剂量的增加发生明显衰降,在1 MeV电子辐照下剂量为1×1015cm-2时,与辐照前相比最大功率衰降了17.7%.暗I-V特性分析表明,高能电子辐照下三结电池串、并联电阻的变化是引起太阳电池电学性能衰降的重要原因.光谱响应分析结果表明,GaInP

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