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不同发射极面积npn晶体管高低剂量率辐射损伤特性

陆妩 任迪远 郭旗 余学锋 何承发 郑玉展 王义元

不同发射极面积npn晶体管高低剂量率辐射损伤特性

陆妩, 任迪远, 郭旗, 余学锋, 何承发, 郑玉展, 王义元
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-11-18
  • 修回日期:  2009-01-08
  • 刊出日期:  2009-08-20

不同发射极面积npn晶体管高低剂量率辐射损伤特性

  • 1. (1)中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐 830011; (2)中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐 830011;中国科学院研究生院,北京 100049
    基金项目: 

    模拟集成电路国家重点实验室基金(批准号:9140C090403070C09)资助的课题.

摘要: 影响npn晶体管辐射损伤的因素有很多,如晶体管工艺、剂量率以及辐照偏置等.主要研究了三种发射极面积的国产npn晶体管在高低剂量率下的辐射损伤特性,分析了发射极尺寸对辐射损伤的影响.研究结果表明,国产npn晶体管具有低剂量率损伤增强效应,且发现当小电流注入下晶体管的辐射损伤会表现得愈加显著.比较三种发射极尺寸的晶体管辐照响应发现,发射极周长面积比P/A越大时晶体管归一化过剩基极电流ΔIB/IB0也越大.详细阐述了npn晶体管辐射损伤机制,从发射极尺寸和晶体管工作电压角度对npn晶体管的加固保证方法进行了探索.

English Abstract

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