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氢稀释对高速生长纳米晶硅薄膜晶化特性的影响

邱胜桦 陈城钊 刘翠青 吴燕丹 李平 林璇英 黄翀 余楚迎

氢稀释对高速生长纳米晶硅薄膜晶化特性的影响

邱胜桦, 陈城钊, 刘翠青, 吴燕丹, 李平, 林璇英, 黄翀, 余楚迎
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  • 以SiH4与H2为气源,采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的压强(230Pa)下,研究氢稀释率对纳米晶硅薄膜的生长速率和晶化特性的影响. 实验表明,薄膜的晶化率,晶粒尺寸随着氢稀释率的提高而增加,当氢稀释率为99%,薄膜的晶化率接近70%. 而沉积速率却随着氢稀释率的减小而增加,当氢稀释率从99%减小到95%时,薄膜的沉积速率由0.3nm/s 增加至0.8nm/s.
    • 基金项目: 韩山师范学院基金(批准号:FC200508)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-04-10
  • 修回日期:  2008-07-03
  • 刊出日期:  2009-01-20

氢稀释对高速生长纳米晶硅薄膜晶化特性的影响

  • 1. (1)韩山师范学院物理与电子工程系,潮州 521041; (2)韩山师范学院物理与电子工程系,潮州 521041;汕头大学物理系,汕头 515063; (3)汕头大学物理系,汕头 515063
    基金项目: 

    韩山师范学院基金(批准号:FC200508)资助的课题.

摘要: 以SiH4与H2为气源,采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的压强(230Pa)下,研究氢稀释率对纳米晶硅薄膜的生长速率和晶化特性的影响. 实验表明,薄膜的晶化率,晶粒尺寸随着氢稀释率的提高而增加,当氢稀释率为99%,薄膜的晶化率接近70%. 而沉积速率却随着氢稀释率的减小而增加,当氢稀释率从99%减小到95%时,薄膜的沉积速率由0.3nm/s 增加至0.8nm/s.

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