搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

基于电容和电导特性分析GaN蓝光发光二极管老化机理

陈焕庭 吕毅军 陈忠 张海兵 高玉琳 陈国龙

基于电容和电导特性分析GaN蓝光发光二极管老化机理

陈焕庭, 吕毅军, 陈忠, 张海兵, 高玉琳, 陈国龙
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2389
  • PDF下载量:  1959
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2008-09-07
  • 修回日期:  2009-01-21
  • 刊出日期:  2009-08-20

基于电容和电导特性分析GaN蓝光发光二极管老化机理

  • 1. 厦门大学物理系,福建省半导体照明工程技术研究中心,厦门 361005
    基金项目: 

    国家高技术研究发展计划 (批准号: 2006AA03A175)、 福建省科技重大专项 (批准号: 2006H0092)和福建省自然科学基金 (批准号: 2008J0030)资助的课题.

摘要: 采用正向交流小信号方法测试和分析老化前后GaN发光二极管(LED)的电容-电压特性,结合串联电阻、理想因子、隧穿电流参数讨论负电容以及电导变化情况.基于L-V曲线定性分析老化前后负电容的阈值电压,老化之后样管的受主浓度降低,辐射复合概率下降,大量缺陷以及非辐射复合中心出现,对载流子俘获作用增强,造成负电容降低.反向偏压以及小正向偏压下,隧穿效应导致老化之后样管的电导增大;正向偏压大于2.2 V区域,考虑串联电阻效应,老化后样管电导减小.在分析LED电容-电压、光输出、电学特性曲线与老化机理基础上,通过实验论证以及理论解释表明,负电容以及电导特性可作为分析LED老化特性的参考依据.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回