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引入n型InGaN/GaN超晶格层提高量子阱特性研究

邢艳辉 邓军 韩军 李建军 沈光地

引入n型InGaN/GaN超晶格层提高量子阱特性研究

邢艳辉, 邓军, 韩军, 李建军, 沈光地
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-06-16
  • 修回日期:  2008-07-12
  • 刊出日期:  2009-01-20

引入n型InGaN/GaN超晶格层提高量子阱特性研究

  • 1. 北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京 100124
    基金项目: 

    北京市教委 (批准号:KM200810005002)和北京市属市管高等学校人才强教计划PHR(IHLB)项目资助的课题.

摘要: 利用金属有机物化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN/GaN量子阱结构. 研究了引入n型InGaN薄层或InGaN/GaN超晶格层的量子阱特性,结果表明通过引入n型InGaN薄层或InGaN/GaN超晶格层缓解了量子阱有源区中的应力,改善了多量子阱表面形貌,减少了V型缺陷密度,而且提高了多量子阱的光致发光强度,从而也改进了LED的发光效率.

English Abstract

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