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非傍轴部分相干厄米-高斯光束的相干和非相干合成

黎昌金 吕百达

非傍轴部分相干厄米-高斯光束的相干和非相干合成

黎昌金, 吕百达
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出版历程
  • 收稿日期:  2009-01-04
  • 修回日期:  2009-02-19
  • 刊出日期:  2009-09-20

非傍轴部分相干厄米-高斯光束的相干和非相干合成

  • 1. (1)内江师范学院物理与电子信息工程学院,内江 641112;四川大学激光物理与化学研究所,成都 610064; (2)四川大学激光物理与化学研究所,成都 610064

摘要: 推导出二维非傍轴部分相干厄米-高斯(H-G)光束相干合成和非相干合成的交叉谱密度和光强的解析公式,并分析了一些特例. 合成光束的光强不仅决定于f参数,fσ参数,离轴参数,合成光束的束数和阶数以及传输距离z,而且还决定于合成方式. 对部分相干光的相干合成和非相干合成概念做了物理诠释,其正确性为数值计算例证实.

English Abstract

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